| 一种新颖自偏置带隙基准电压源的设计 |
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| 引用本文： | 谭传武,陈卫兵,邹豪杰,李长云.一种新颖自偏置带隙基准电压源的设计[J].湖南工业大学学报,2010,24(3):63-65. |
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| 作者姓名： | 谭传武 陈卫兵 邹豪杰 李长云 |
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| 作者单位： | 湖南工业大学计算机与通信学院,湖南,株洲,412008 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，湖南省教育厅科研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 基于0.6μm BCD工艺参数,设计了一种新颖的低温漂、低功耗、高电源抑制比的自偏置带隙基准电压源.电路仿真结果表明:其工作电源电压低至1.7V,输出基准电压为1.24 V,温度系数仅6.68×10-6V/℃,电流消耗22 μA,电源抑制比高达82 dB.该电压源可广泛应用于模/数、数/模转换电路和电源管理芯片中.
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| 关 键 词： | 带隙基准 基准源 |
| 收稿时间： | 2009/11/20 0:00:00 |
The Design of A Novel Self-Biased Bandgap Reference Voltage Source |
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| Tan Chuanwu,Chen Weibing,Zou Haojie and Li Changyun.The Design of A Novel Self-Biased Bandgap Reference Voltage Source[J].Journal of Hnnnan University of Technology,2010,24(3):63-65. |
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| Authors: | Tan Chuanwu Chen Weibing Zou Haojie and Li Changyun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PSRR |
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