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带有软启动电路的高精密CMOS带隙基准源
引用本文:张强,田泽,王进军,刘宁,王谨.带有软启动电路的高精密CMOS带隙基准源[J].微电子学与计算机,2007,24(6):84-87,90.
作者姓名:张强  田泽  王进军  刘宁  王谨
作者单位:西北大学,信息科学与技术学院,陕西,西安,710127
基金项目:陕西省西安-美国应用材料创新基金;陕西省科技攻关计划
摘    要:提出了一种新颖的带有软启动的高精密CMOS带隙基准电压源。采用UMC的0.6μm2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.293V,在1.5V~4V的电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27mV,基准的最大静态电流约为19μA;在-40℃~120℃的温度范围内,基准随温度的变化约为4.41mV,产生的偏置电流基本上不受电源电压的影响,而与温度成线性关系;在电源电压为3V时,基准的总电流约为14.25μA,功耗约为42.74μW;并且基准具有较高的PSRR和较低的噪声(小于500nV/HZ1/2),基准的输出启动时间约为25μs。

关 键 词:带隙基准  软启动电路  温度补偿  电源抑制比
文章编号:1000-7180(2007)06-0084-04
修稿时间:2006-06-02

High Precision CMOS Bandgap Voltage Reference with Soft-Start up Circuit
ZHANG Qiang,TIAN Ze,WANG Jin-jun,LIU Ning,WANG Jin.High Precision CMOS Bandgap Voltage Reference with Soft-Start up Circuit[J].Microelectronics & Computer,2007,24(6):84-87,90.
Authors:ZHANG Qiang  TIAN Ze  WANG Jin-jun  LIU Ning  WANG Jin
Abstract:
Keywords:CMOS
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