| 具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性 |
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| 引用本文： | 张万荣,李志国,穆甫臣,程尧海,孙英华,郭伟玲,陈建新,沈光地,张玉清,张慕义.具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性[J].半导体学报,2000,21(6):608-613. |
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| 作者姓名： | 张万荣 李志国 穆甫臣 程尧海 孙英华 郭伟玲 陈建新 沈光地 张玉清 张慕义 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系!北京100022，北京工业大学电子工程系!北京100022，北京工业大学电子工程系!北京100022，北京工业大学电子工程系!北京100022，北京工业大学电子工程系!北京100022，北京工业大学电子工程系!北京100022，北京工业大学电子工程系!北京100022，北京工业大学电子 |
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| 基金项目： | 北京市科技新星计划项目;; |
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| 摘 要： | 提出了金属 -半导体欧姆接触退化的快速评估方法——温度斜坡快速评价法 ,并建立了自动评估系统 ,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能 ,和传统方法相比 ,耗时少 ,所需样品少 ,所得结果和传统方法一致 .针对传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统的缺点 ,提出了加 Ti N扩散阻挡层的新型欧姆接触系统 .实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统 .
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| 关 键 词： | 欧姆接触 可靠性 阻挡层 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)06-0608-06 |
| 修稿时间： | 1999-03-24 |
Reliability of n-GaAs Ohmic Contact With TiN Diffusion Barrier |
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| ZHANG Wan\|rong,LI Zhi\|guo,MU Fu\|chen,CHENG Yao\|hai,SUN Ying\|hua,GUO Wei\|ling,CHEN Jian\|xin and SHEN Guang\|di.Reliability of n-GaAs Ohmic Contact With TiN Diffusion Barrier[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(6):608-613. |
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| Authors: | ZHANG Wan\|rong LI Zhi\|guo MU Fu\|chen CHENG Yao\|hai SUN Ying\|hua GUO Wei\|ling CHEN Jian\|xin and SHEN Guang\|di |
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| Affiliation: | ZHANG Wan-rong
,LI Zhi-guo
,MU Fu-chen
,CHENG Yao-hai
,SUN Ying-hua
,GUO Wei-ling
(Department of Electronic Engineering, Beijing Polytechnic University, Beijing 100022, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ohmic contact reliability barrier layer |
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