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| 高温微电子学—Ⅰ：硅器件的高温特性研究 | |
| 作者姓名： | 柯导明 董勤义 |
| 作者单位： | 东南大学(柯导明)，东南大学(童勤义) |
| 摘 要： | 本文详细介绍了硅器件的高温理论以及制作的进展,分析了MOSFET的高温特性和失效模式,指出了改善MOSFET高温性能和提高上限温度的方法。 |
| 关 键 词： | 高温 微电子学 硅器件 半导体器件 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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