| 钇稳定二氧化锆流延成型薄膜的无压烧结研究 |
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| 引用本文： | 鲁盛会,李素芳,向蓝翔,陈宗璋,吴振君,周欣燕. 钇稳定二氧化锆流延成型薄膜的无压烧结研究[J]. 稀土, 2010, 31(3) |
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| 作者姓名： | 鲁盛会 李素芳 向蓝翔 陈宗璋 吴振君 周欣燕 |
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| 作者单位： | 1. 中国原子能科学研究院,北京,102413
2. 湖南大学,化学化工学院,湖南,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 湖南省自然科学基金项目资助 |
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| 摘 要： | 讨论了流延法制备的钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷薄膜的无压烧结过程.通过SEM、TG-DTA和XRD等手段对素坯和烧结过程进行微观检测和表征.结果表明,固体含量为55%(质量分数)的素坯薄膜,在75℃～1000℃温度区间,有机添加剂的烧除对最终烧结体的致密化贡献不大,但对陶瓷薄膜的形变影响很大,YSZ素坯薄膜内有机添加剂的匀速烧除,能够有效控制流延法制备陶瓷薄膜的起翘开裂,且能够有效抑制最终烧结体内气孔的数量,对最终致密化起促进作用;在1000℃～1450℃的温度区间,陶瓷薄膜的晶粒生长和致密化主要以表面物质扩散机制进行,且晶粒的生长和致密化同步进行.在最佳烧结温度1500℃时相对密度达到最大值98%左右,随后,晶粒的尺寸随温度及保温时间的增加而增大,而密度有所下降.
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| 关 键 词： | 氧化锆 薄膜 烧结 流延 |
Pressureless Sintering of Yttria-Stabilized Zirconia Thin Films Formed by Tape Casting |
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| LU Sheng-hui,LI Su-fang,XIANG Lan-xiang,CHEN Zong-zhang,WU Zhen-Jun,ZHOU Xin-yan. Pressureless Sintering of Yttria-Stabilized Zirconia Thin Films Formed by Tape Casting[J]. Chinese Rare Earths, 2010, 31(3) |
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| Authors: | LU Sheng-hui LI Su-fang XIANG Lan-xiang CHEN Zong-zhang WU Zhen-Jun ZHOU Xin-yan |
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