| 硅晶片激光标识工艺参数的研究 |
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| 引用本文： | 李静坤,常耀辉,吕菲,刘娜.硅晶片激光标识工艺参数的研究[J].电子工业专用设备,2019,48(3). |
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| 作者姓名： | 李静坤 常耀辉 吕菲 刘娜 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 介绍了应用于硅晶片激光标识的激光打标系统结构,并以光纤振镜式激光打标机为例,探索了不同打标工艺参数的选择对晶片激光标识效果的影响。采用单因素实验法分别研究了不同激光打标功率、打标速度和打标频率对硅片打标效果的影响,并分析了其影响其打标效果的原理。通过目检和金相显微镜对激光标识进行观察,确定了最佳的打标工艺,最终得到了优化的打标工艺即采用激光额定功率的45%,频率为25 kHz,打标速度为150 mm/s,可得到标识清楚、深浅一致、不损伤晶片特性的激光标识。
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| 关 键 词： | 激光标识 激光功率 频率 打标速度 |
Research on Process Parameters of Silicon Wafer Laser Marking |
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