| 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性 |
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| 引用本文： | 刘文超,夏冠群,李冰寒,黄文奎,刘延祥.难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性[J].半导体学报,2005,26(1):57-61. |
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| 作者姓名： | 刘文超 夏冠群 李冰寒 黄文奎 刘延祥 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触，在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试，并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明，用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后，比接触电阻最小；在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻，约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度，消除了费米能级钉扎效应，从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．
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| 关 键 词： | Mo/W/Ti/Au GaAs 欧姆接触 钝化 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0057-05 |
| 修稿时间： | 2003年11月19日 |
Electrical and Structural Properties of Mo/W/Ti/Au Ohmic Contacts to n-GaAs |
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| Liu Wenchao,Xia Guanqun,Li Binghan,Huang Wenkui,and Liu Yanxiang.Electrical and Structural Properties of Mo/W/Ti/Au Ohmic Contacts to n-GaAs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(1):57-61. |
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| Authors: | Liu Wenchao Xia Guanqun Li Binghan Huang Wenkui and Liu Yanxiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Mo/W/Ti/Au GaAs |
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