| Cu掺杂ZnSe光电性质的第一性原理计算 |
| |
| 引用本文： | 刘翠霞,坚增运,朱满,陈连阳.Cu掺杂ZnSe光电性质的第一性原理计算[J].西安工业大学学报,2014(10):819-823. |
| |
| 作者姓名： | 刘翠霞 坚增运 朱满 陈连阳 |
| |
| 作者单位： | 西安工业大学 材料与化工学院,西安,710021 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB610403)；陕西省教育厅专项科研计划项目(2013JK0908)；陕西省自然科学基础研究计划项目(2014JQ6214)；西安工业大学大学生创新创业项目(201310702017)；西安工业大学省级重点实验室开放基金项目 |
| |
| 摘 要： | 为研究Cu掺杂对ZnSe晶体的光电性能的影响,采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnSe掺杂Cu前后的电子结构和光学性质.比较了掺杂前后的电子能带结构、总态密度、分态密度、吸收光谱和介电函数.研究结果表明:ZnSe本体为直接带隙半导体.掺杂Cu后,ZnSe晶体表现出明显的金属性.本征吸收区明显向低能端移动,约位于0.9~6.0eV.吸收系数明显降低33%.在低能端产生了新的价电峰,可以吸收较低能量的光子.
|
| 关 键 词： | ZnSe晶体 Cu掺杂 光电性质 第一性原理 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
