| SOI LDMOSFET的背栅特性 |
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| 引用本文： | 毕津顺,宋李梅,海潮和,韩郑生.SOI LDMOSFET的背栅特性[J].半导体学报,2008,29(11):2148-2152. |
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| 作者姓名： | 毕津顺 宋李梅 海潮和 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 在绝缘体上硅衬底上，制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管. 详细研究了器件的背栅特性. 背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和关态击穿特性均有明显影响. 相比于源体紧密接触结构，低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小，这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启. 还介绍了一种绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管的电路模型，其包含前栅沟道，背栅沟道和背栅偏置决定的串联电阻.
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅 横向双扩散功率晶体管 背栅效应 |
| 收稿时间： | 3/25/2008 5:04:24 PM |
| 修稿时间： | 6/29/2008 4:09:22 PM |
Back-Gate Effect of SOI LDMOSFETs |
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| Bi Jinshun,Song Limei,Hai Chaohe and Han Zhengsheng.Back-Gate Effect of SOI LDMOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(11):2148-2152. |
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| Authors: | Bi Jinshun Song Limei Hai Chaohe and Han Zhengsheng |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI LDMOSFET back-gate effect |
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