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碳氮纳米管薄膜及其场致电子发射特性
引用本文:张兰,马会中,姚宁,杨仕娥,边超,胡欢陵,张兵临.碳氮纳米管薄膜及其场致电子发射特性[J].光电子.激光,2003,14(8):779-782.
作者姓名:张兰  马会中  姚宁  杨仕娥  边超  胡欢陵  张兵临
作者单位:1. 郑州大学工程力学系,郑州,450002;中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
2. 郑州大学工程力学系,郑州,450002
3. 郑州大学物理工程学院,郑州,450052
4. 中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
基金项目:国家"863"计划(715 002 0042),国家自然科学基金(60278035),河南省自然科学基金(004042000)资助项目
摘    要:利用微波等离子体增强化学气相沉积技术,在玻璃衬底上600℃~650℃的低温下制备出了碳氮纳米管薄膜,氮含量为12%,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子谱(XPS)和Raman光谱等测试手段对所制备薄膜的表面形貌、微结构和成分进行了分析,并研究了其场致电子发射特性,阈值电场为3.7V/μm。当电场为8V/μm时,电流密度为413.3μA/cm^2,实验表明该薄膜具有优异的场发射性能,而且用这种方法制备的薄膜将大大简化平板显示器件的制作工艺。

关 键 词:碳氮纳米管  场致电子发射  微波等离子体增强化学气相沉积  表面形貌  微结构  阈值电场
文章编号:1005-0086(2003)08-0779-04
修稿时间:2003年1月14日

Carbon Nitride Nanotube Thin Film and Its Field Emission Properties
Abstract:
Keywords:microwave plasma enhanced chemical vapor deposition  Carbon nitride nanotube  Field electron emission
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