| R.F.溅射Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3/RuO_2薄膜及其介电特性研究 |
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| 引用本文： | 张柏顺,章天金,江娟,刘江华. R.F.溅射Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3/RuO_2薄膜及其介电特性研究[J]. 大气与环境光学学报, 2004, 0(2) |
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| 作者姓名： | 张柏顺 章天金 江娟 刘江华 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院，湖北大学物理学与电子技术学院，湖北大学物理学与电子技术学院，湖北大学物理学与电子技术学院 湖北 武汉 430062，湖北 武汉 430062，湖北 武汉 430062，湖北 武汉 430062 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA066)，湖北省教育厅自然科学基金资助项目(2003A006) |
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| 摘 要： | 用R.F.磁控溅射法在p—Si(100)衬底上沉积Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时,薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大.电容器InGa/BST/RuO2的介电特性由ε-V特性和I—V特性描述.薄膜在零偏压下ε=230、tgδ≈0.03.低电场条件下,薄膜的漏电流随电压呈饱和特性,属电子跳跃传导,且通过改善薄膜的结晶度可减小该漏电流.高电场条件下,漏电流符合肖特基发射规律.
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| 关 键 词： | BST薄膜 射频溅射 底电极 结晶度 介电特性 |
Dielectric Properties of Sputtered Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Film on Ru02 Bottom Electrode |
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| ZHANG Bai-shun,ZHANG Tian-jin,JIANG Juan,LIU Jiang-hua. Dielectric Properties of Sputtered Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Film on Ru02 Bottom Electrode[J]. Journal of Atmospheric and Environmental Optics, 2004, 0(2) |
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| Authors: | ZHANG Bai-shun ZHANG Tian-jin JIANG Juan LIU Jiang-hua |
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| Keywords: | BST thin film R. F. sputting bottom electrode crystallinity dielectric property |
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