首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

放电等离子烧结工艺合成Ti3SiC2的研究
引用本文:朱教群,梅炳初,陈艳林. 放电等离子烧结工艺合成Ti3SiC2的研究[J]. 硅酸盐学报, 2002, 30(5): 649-652
作者姓名:朱教群  梅炳初  陈艳林
作者单位:武汉理工大学材料复合国家重点实验室,武汉,430070
基金项目:国家自然科学基金(50172037);教育部博士点基金(2000049702)资助项目.
摘    要:以元素单质粉为原料,当原料配比为n(Ti):n(Si):n(Al):n(C)=3:(1.2-x):x:2,其中:x=0.05-0.2时,在1200-1250℃温度下经放电等离子烧结成功制备了高纯、致密Ti3SiC2固溶体材料。原料中掺加适量Al能改善Ti3SiC2的合成反应并提高制备材料的纯度。当x=0.2时,所合成的固溶体形貌为板状结晶,分子式近似为Ti3Si0.8Al0.2C2,晶格参数a=0.3069nm,c=1.767nm。在1250℃温度下烧结,得到平均厚度达5μm,发育完善均匀的致密多晶体材料。材料Vickers硬度为3.5-5.5GPa,具有与石墨相似的加工性能。

关 键 词:放电等离子烧结工艺 合成 Ti3SiC2 研究 碳硅化钛
文章编号:0454-5648(2002)05-0649-04
修稿时间:2001-12-24

STUDY ON THE SYNTHESIS OF Ti3SiC2 BY SPARK PLASMA SINTERING
ZHU Jiaoqun,MEI Bingchu,CHEN Yanlin. STUDY ON THE SYNTHESIS OF Ti3SiC2 BY SPARK PLASMA SINTERING[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2002, 30(5): 649-652
Authors:ZHU Jiaoqun  MEI Bingchu  CHEN Yanlin
Abstract:
Keywords:titanium silicon carbide  aluminum  synthesis  spark plasma sintering
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号