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| 1.55μm波段低偏振灵敏度半导体光放大器 | |
| 引用本文： | 段子刚,黄格凡,张哲民,刘德明,黄德修.1.55μm波段低偏振灵敏度半导体光放大器[J].半导体学报,1999,20(12):1098-1101. |
| 作者姓名： | 段子刚 黄格凡 张哲民 刘德明 黄德修 |
| 作者单位： | [1]华中理工大学光电子工程系 [2]武汉邮电科学研究院 |
| 摘 要： | 研制了１．５５μｍ波段低偏振灵敏度的半导体光放大器（ＳＯＡ）．其有源区材料采用张应变和压应变交替排列的混合应变量子阱结构，由ＭＯＣＶＤ生长．张应变量子阱加强了ＴＭ模式的增益，改善了ＳＯＡ的偏振灵敏度．腔长为４００μｍ的单端耦合ＳＯＡ，在１６０ｍＡ偏置下，增益大于１６ｄＢ，偏振灵敏度约为１．８ｄＢ． |
| 关 键 词： | 半导体光放大器 偏振灵敏度 量子阱材料 MOCVD |
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