| 利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究 |
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| 引用本文： | 颜建锋,梁红伟,吕有明,刘益春,李炳辉,申德振,张吉英,范希武.利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究[J].红外与毫米波学报,2004,23(2):103-106. |
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| 作者姓名： | 颜建锋 梁红伟 吕有明 刘益春 李炳辉 申德振 张吉英 范希武 |
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| 作者单位： | 东北师范大学物理系理论物理研究所,吉林,长春,130024;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家“8 63”高技术 .新材料领域 (2 0 0 1AA3 1112 )，国家自然科学重点基金(60 3 3 60 2 0 )，国家自然科学基金资助项目(60 1760 0 3,60 2 780 31,60 3 760 0 9)，中国科学院二期创新资助项目 |
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| 摘 要： | 在Si(111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)生长氧化锌(ZnO)薄膜，研究了在不同衬底生长温度下(350～750℃)制备的ZnO薄膜的结构和光学性质．随着衬底温度的升高，样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大，衬底温度为550℃样品的结构及光学性质都比较好，这表明550℃为在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度；同时，我们还通过550℃样品的变温光致发光谱(81～300K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源，证明其来源于自由激子发射．
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| 关 键 词： | ZnO 等离子体辅助分子束外延 光致发光 吸附 |
| 文章编号： | 1001-9014(2004)02-0103-04 |
| 收稿时间： | 2003/1/13 |
| 修稿时间： | 2003年1月13日 |
STUDY ON GROWTH AND OPTICAL PROPERTIES OF ZnO THIN FILMS ON Si(111) SUBSTRATE BY PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY(P-MBE) |
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| YAN Jian Feng,LIANG Hong Wei,LU You Ming,LIU Yi Chun,LI Bing Hui,SHEN De Zhen,ZHANG Ji Ying,FAN Xi Wu.STUDY ON GROWTH AND OPTICAL PROPERTIES OF ZnO THIN FILMS ON Si(111) SUBSTRATE BY PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY(P-MBE)[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2004,23(2):103-106. |
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| Authors: | YAN Jian Feng LIANG Hong Wei LU You Ming LIU Yi Chun LI Bing Hui SHEN De Zhen ZHANG Ji Ying FAN Xi Wu |
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| Abstract: | Plasma assisted molecular beam epitaxy was employed to prepare ZnO thin films on Si(111) substrate. In order to look for the optimal substrate temperature for growth of ZnO thin films, the dependence of the quality of ZnO thin films on substrate temperature ranging from 350℃ to 750℃ was studied by X ray diffraction(XRD) and photoluminescence(PL) spectra analysis. The full width at half maximum (FWHM) of XRD and PL spectra become narrower and then wider, a preferred oriented ZnO thin film on Si substrate was obtained at 550℃. The PL spectra show a strong ultraviolet(UV) band emission with a weak deep level emission. The origin of the UV band is from free excition recombination, testified by the temperature dependent PL spectra in the rang of 81K～300K. |
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| Keywords: | zinc oxide (ZnO) plasma assisted molecular beam epitaxy photoluminescence adsorption |
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