| In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体光损伤阈值和非挥发性全息存储 |
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| 引用本文： | 毕建聪,刘波,田海燕,徐玉恒.In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体光损伤阈值和非挥发性全息存储[J].硅酸盐学报,2009,37(5). |
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| 作者姓名： | 毕建聪 刘波 田海燕 徐玉恒 |
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| 作者单位： | 哈尔滨理工大学化学和环境工程学院,哈尔滨,150040 |
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| 摘 要： | 在LiNbO3(LN)中掺入摩尔分数分别为0,0.25%,1.5%,1.75%的In2O3、质量分数为0.1%的Fe2O3和0.05%的CuO,用提拉法生长了系列 In:Fe:Cu:LiNbO3(In:Fe:Cu:LN)晶体.采用Sanarmont补偿法和透射光束图像畸变法,测试In:Fe:Cu:LN晶体的光损伤阈值,基于Scalar表达式,讨论了晶 体光损阈值变化的机理.结果表明:3%In:0.1%Fe:0.05%Cu:LN晶体光损伤阈值比LN晶体高2个数量级,3%In3+达到阈值浓度.采用0.1%Fe:0.05%Cu:LN 晶体和0.5%In:0.1%Fe:0.05%Cu:LN晶体作为存储介质,Fe2+/Fe3+作为浅能级,Cu+/Cu2+作为深能级,以氪离了激光(蓝光)作开关光,氦-氖激光(红光)作为记录光,完成双光子固定非挥发性存储实验.实验表明:0.5%1n:0.1%Fe:0.05%Cu:LN晶体存储记录速度比Mn:Fe:LN晶体提高1个数量级.
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| 关 键 词： | 铟铁铜共掺铌酸锂晶体 光损伤阈值 非挥发性存储 |
OPTICAL DAMAGE THRESHOLD AND NON-VOLATILE HOLOGRAPHIC STORAGE OF In:Fe:Cu:LiNbO_3 CRYSTALS |
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| BI Jiancong,LIU Bo,TIAN Haiyan,XU Yuheng.OPTICAL DAMAGE THRESHOLD AND NON-VOLATILE HOLOGRAPHIC STORAGE OF In:Fe:Cu:LiNbO_3 CRYSTALS[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2009,37(5). |
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| Authors: | BI Jiancong LIU Bo TIAN Haiyan XU Yuheng |
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| Affiliation: | School of Chemistry and Environment Engineering;Harbin University of Science and Technology;Harbin 150040;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | indium iron and copper co-doped lithium niobate crystal optical damage threshold nonvolatile storage |
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