| 1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy |
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| 作者姓名： | Niu Zhichuan Ni Haiqiao Fang Zhidan Gong Zheng Zhang Shiyong Wu Donghai Sun Zheng Zhao Huan Peng Hongling Han Qin Wu Ronghan |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100084;中国科学院半导体研究所，北京 100085;中国科学院半导体研究所，北京 100086;中国科学院半导体研究所，北京 100087;中国科学院半导体研究所，北京 100088;中国科学院半导体研究所，北京 100089;中国科学院半导体研究所，北京 100090;中国科学院半导体研究所，北京 100091;中国科学院半导体研究所，北京 100092;中国科学院半导体研究所，北京 100093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,国家高技术发展研究计划及国家重点基础研究发展计划资助项目. |
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| 摘 要： | 报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器. 室温带边发射峰的半高宽小于35meV，表明量子点大小比较均匀. 原子力显微镜图像显示，量子点密度可以控制在(1～7)E10cm-2范围之内，而面密度处于4E10cm-2时有良好的光致发光谱性能. 含有三到五层1.3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.
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| 关 键 词： | 量子点 砷化铟 激光器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)03-0482-07 |
| 收稿时间： | 10 31 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 12 9 2005 12:00AM |
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