| JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性研究 |
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| 引用本文： | 姜玉德,周慧芳,赵琳娜,甘新慧,顾晓峰,计建新.JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性研究[J].微电子学,2021,51(6):918-922. |
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| 作者姓名： | 姜玉德 周慧芳 赵琳娜 甘新慧 顾晓峰 计建新 |
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| 作者单位： | 江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122;华润微电子有限公司, 江苏 无锡 214061 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510) |
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| 摘 要： | 研究了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性。首先,理论模拟了JTE终端横向长度、离子注入剂量和界面电荷对击穿电压的影响。对工艺条件进行优化,制作了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管。测试结果表明,器件的正向电压为1.52 V,特征导通电阻为2.12 mΩ·cm2,击穿电压为1 650 V。接着,研究器件的变温电流-电压特性发现,正向电流主要为热发射机制,而反向电流与电压、温度有很强的依赖关系。最后进行了高温反偏应力老化测试,结果表明,击穿电压呈下降趋势。
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| 关 键 词： | SiC结势垒肖特基二极管 JTE终端结构 击穿电压 高温反偏 |
| 收稿时间： | 2021/1/10 0:00:00 |
Study on Breakdown Characteristics of 4H-SiC JBS with JTE Termination |
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| JIANG Yude,ZHOU Huifang,ZHAO Linn,GAN Xinhui,GU Xiaofeng,JI Jianxin.Study on Breakdown Characteristics of 4H-SiC JBS with JTE Termination[J].Microelectronics,2021,51(6):918-922. |
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| Authors: | JIANG Yude ZHOU Huifang ZHAO Linn GAN Xinhui GU Xiaofeng JI Jianxin |
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| Affiliation: | Engineer.Res.Center of IoT Technol.Appl.Ministry of Education, Department of Elec.Engineer., Jiangnan Univ., Wuxi, Jiangsu 214122, P.R.China;China Resources Microelectronics Limited, Wuxi, Jiangsu 214061, P.R.China |
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