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| In0.4Ga0.6N/GaN异质结IMPATT二极管性能仿真研究 | |
| 作者姓名： | 戴扬 卢昭阳 叶青松 党江涛 雷晓艺 张云尧 廖晨光 赵胜雷 赵武 |
| 作者单位： | 西北大学 信息科学与技术学院, 西安 710127;西安电子科技大学 微电子学院, 西安 710071 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61804125,61701402,62004163) |
| 摘 要： | 提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管。传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案。详细研究了In0.4Ga0.6N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPATT二极管的直流、交流输出特性。结果表明,In0.4Ga0.6N/GaN IMPATT二极管在不使用P型GaN的情况下,可达到优于传统PN结IMPATT二极管的性能。 |
| 关 键 词： | 效率 同型异质结 铟镓氮 IMPATT二极管 |
| 收稿时间： | 2021-03-26 |
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