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| 联栅晶体管的研制 | |
| 引用本文： | 郑海东,陈启秀.联栅晶体管的研制[J].微处理机,1992(2):54-57,59. |
| 作者姓名： | 郑海东 陈启秀 |
| 作者单位： | 浙江大学信电系 杭州310008 |
| 摘 要： | 联栅晶体管(Gate Associ—ated Transistor)是一种结构改进的双极型晶体管,它具有高开关速度、高反压、低饱和压降等特点。本文讨沦了联栅晶体管的结构与性能,分析了联栅管H_(FE)—I_C特性及优化设计问题。 |
| 关 键 词： | 联栅管 双极晶 体管 |
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