| 碳化硅陶瓷的铬金属化机理及封接 |
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| 引用本文： | 潘裕柏,江东亮.碳化硅陶瓷的铬金属化机理及封接[J].硅酸盐学报,1990,18(5):393-399. |
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| 作者姓名： | 潘裕柏 江东亮 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所
(潘裕柏，江东亮)，中国科学院上海硅酸盐研究所(谭寿洪) |
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| 摘 要： | 研究了碳化硅(SiC)陶瓷表面铬金属化机理及SiC-SiC和SiC-Cu的封接技术。SiC在1000—1250℃真空环境中表面铬金属化,然后利用铜基合金钎焊封接.8iC—SiC封接体的室温四点抗弯强度平均值为103MPa,最大值140MPa。 对接合界面结构的研究发现Cr扩散入SiC基体并在界面处存在着反应层Cr_3C_2,同时si逸失。在SiC与金属Cr之间形成Cr_3C_2,表明SiC的封接是可行的。
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| 关 键 词： | 碳化硅 陶瓷 铬 金属化 封接 |
CHROMIUM METALLIZATION MECHANISM AND JOINING OF SILICON CARBIDE CERAMICS |
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| Pan Yubai giang Dongliang Tan Shouhong.CHROMIUM METALLIZATION MECHANISM AND JOINING OF SILICON CARBIDE CERAMICS[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,1990,18(5):393-399. |
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| Authors: | Pan Yubai giang Dongliang Tan Shouhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide (SiC) metallization chromium(Cr) solid reaction Cr diffusion |
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