| 基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计 |
| |
| 引用本文： | 周俊,王晓红,姚朋军,董良,刘理天.基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计[J].半导体学报,2003,24(7):687-692. |
| |
| 作者姓名： | 周俊 王晓红 姚朋军 董良 刘理天 |
| |
| 作者单位： | [1]清华大学微电子学研究所，北京100084 [2]沈阳师范大学信息技术学院，沈阳110036 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G1999033108; |
| |
| 摘 要： | 分析并设计了一种利用高选择自停止的多孔硅牺牲层技术制作压阻式加速度传感器的工艺,并利用外延单晶硅作为传感器的结构材料,这种工艺能精确地控制微结构的尺寸.利用多孔硅作牺牲层工艺,使用加入硅粉和(NH4 ) 2 S2 O8的TMAH溶液通过在薄膜上制作的小孔释放多孔硅,能很好地保护未被覆盖的铝线.该工艺和标准的CMOS工艺完全兼容.
|
| 关 键 词： | 加速度传感器 多孔硅 微加工 牺牲层 微机电系统 |
Analysis and Design of an Accelerometer Fabricated with Porous Silicon as Sacrificial Layer |
| |
| Zhou Jun,Wang Xiaohong,YAO Pengjun,Dong Liang,Liu Litian.Analysis and Design of an Accelerometer Fabricated with Porous Silicon as Sacrificial Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(7):687-692. |
| |
| Authors: | Zhou Jun Wang Xiaohong YAO Pengjun Dong Liang Liu Litian |
| |
| Abstract: | A piezoresistive silicon accelerometer fabricated by a selective,self-stopping porous silicon (PS) etching method using an epitaxial layer for movable microstructures is described and analyzed.The technique is capable of constructing a microstructure precisely.PS is used as a sacrificial layer,and releasing holes are etched in the film.TMAH solution with additional Si powder and (NH_4)_2S_2O_8 is used to remove PS through the small releasing holes without eroding uncovered Al.The designed fabrication process is full compatible with standard CMOS process. |
| |
| Keywords: | accelerometer porous silicon micromachining sacrificial layer MEMS |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
