| 集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究 |
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| 引用本文： | 刘文平,宋达,李铁,李昕欣,王跃林. 集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究[J]. 中国机械工程, 2005, 16(Z1): 365-367 |
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| 作者姓名： | 刘文平 宋达 李铁 李昕欣 王跃林 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
2. 浙江大学,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 采用传统MEMS工艺,利用精巧的结构设计和准确的工艺控制,制作出一种新型的、在芯片上可集成的、直径可控的硅纳米线,对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论.纳米线的直径达到50nm以下,长度为3～15μm,两端固支,底部悬空.电学测试结果表明,硅材料的表面活性很高,由于比表面积的增大,硅纳米线哌的电学特性受表面态的影响非常大.新鲜表面的硅纳米线与暴露在空气中一定时间的纳米线的I-V特性有着明显的不同.
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| 关 键 词： | 硅纳米线 微电子机械系统 表面态 光生载流子 |
| 文章编号： | 1004-132X(2005)S1-0365-03 |
| 修稿时间： | 2005-05-05 |
Silicon Nanowires Fabricated by MEMS Technology |
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| Liu Wenping,Song Da,Li Tie,Li Xinxin,Wang Yuelin. Silicon Nanowires Fabricated by MEMS Technology[J]. China Mechanical Engineering, 2005, 16(Z1): 365-367 |
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| Authors: | Liu Wenping Song Da Li Tie Li Xinxin Wang Yuelin |
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