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| SiC MOSFET高温可靠性评估失效机理研究 | |
| 作者姓名： | 李寿全 张宇隆 黄以明 郑广州 |
| 作者单位： | 北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司,北京 100029 |
| 摘 要： | 碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件具有耐高压、耐高温、开关频率高、导通电阻低等特性,但现有的封装材料、工艺在一定程度上限制了SiC MOSFET器件充分发挥其高温特性的优势.以国际主流厂商的SiC MOSFET器件为对象,进行极限高温可靠性评估.对试验后失效器件进行失效机理分析,提出导致... |
| 关 键 词： | 金属-氧化物半导体场效应晶体管 碳化硅 失效机理 |
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