| MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性 |
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| 引用本文： | 郭子路,王文娟,曲会丹,范柳燕,诸毅诚,王亚杰,郑长林,王兴军,陈平平,陆卫.MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性[J].红外与毫米波学报,2024,43(1):63-69. |
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| 作者姓名： | 郭子路 王文娟 曲会丹 范柳燕 诸毅诚 王亚杰 郑长林 王兴军 陈平平 陆卫 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049;上海科技大学 物质科学与技术学院，上海 201210,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;上海量子科学研究中心，上海 201315,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049,复旦大学 应用表面物理国家重点实验室和物理学系，上海 200438,复旦大学 应用表面物理国家重点实验室和物理学系，上海 200438,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049;上海科技大学 物质科学与技术学院，上海 201210;上海量子科学研究中心，上海 201315 |
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| 基金项目： | Supported by the National Natural Science Foundation of China （12027805，62171136， 62174166， and U2241219）； the Science and Technology Commission of Shanghai Municipality （Grant No.2019SHZDZX01， 22JC1402902） and the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences （ XDB43010200）. |
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| 摘 要： | InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）对近红外光具有高敏感度，使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂，厚度尺寸从量子点到几微米不等，性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延（MBE）技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In0.53Ga0.47As薄膜和APD结构材料。实验结果表明，As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势，可获得陡直明锐的异质结界面，降低载流子浓度，提高霍尔迁移率，延长少子寿命，并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此，As脱氧可以有效提高MBE材料的质量，这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。
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| 关 键 词： | 分子束外延 P/As切换 异质界面扩散 铟镓砷/磷化铟雪崩光电二极管 |
| 收稿时间： | 2023/5/5 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/11/9 0:00:00 |
Correlation between MBE deoxidation conditions and InGaAs/InP APD performance |
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| GUO Zi-Lu,WANG Wen-Juan,QU Hui-Dan,FAN Liu-Yan,ZHU Yi-Cheng,WANG Ya-Jie,ZHENG Chang-Lin,WANG Xing-Jun,CHEN Ping-Ping and LU Wei.Correlation between MBE deoxidation conditions and InGaAs/InP APD performance[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2024,43(1):63-69. |
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| Authors: | GUO Zi-Lu WANG Wen-Juan QU Hui-Dan FAN Liu-Yan ZHU Yi-Cheng WANG Ya-Jie ZHENG Chang-Lin WANG Xing-Jun CHEN Ping-Ping and LU Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular beam epitaxy P/As exchange heterointerface diffusion InGaAs/InP APD |
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