| ZnS薄膜生长温度对ZnS/PS体系结构和发光的影响 |
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| 引用本文： | 王彩凤,李清山,郑萌萌. ZnS薄膜生长温度对ZnS/PS体系结构和发光的影响[J]. 光电子．激光, 2008, 19(4): 490-492 |
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| 作者姓名： | 王彩凤 李清山 郑萌萌 |
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| 作者单位： | 滨州学院物理与电子科学系,滨州,256603;曲阜师范大学物理工程学院,山东,曲阜,273165;鲁东大学,山东,烟台,264025;曲阜师范大学物理工程学院,山东,曲阜,273165;曲阜师范大学激光研究所,山东,曲阜,273165 |
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| 摘 要： | 用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS,Porous Silicon)样品,然后以PS为衬底用脉冲激光沉积(PLD)的方法在100℃、200℃和300℃下生长ZnS薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,样品都在28.5°附近有一个较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向择优取向生长,但由于衬底PS粗糙的表面结构,衍射峰的半高全宽(FWHM)较大.随着ZnS薄膜生长温度的升高,薄膜的衍射峰强度逐渐增强.扫描电子显微镜(SEM)像显示,随着薄膜生长温度的升高,构成薄膜的纳米晶粒生长变大.室温下的光致发光(PL)谱表明,随着薄膜生长温度的升高,ZnS的发光强度增强而PS的发光强度减弱,把ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加,在可见光区450～700 nm形成了一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射.
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| 关 键 词： | 光致发光(PL) 白光 脉冲激光沉积(PLD) ZnS 多孔硅(PS) |
| 文章编号： | 1005-0086(2008)04-0490-03 |
| 修稿时间： | 2007-04-03 |
Effect of growth temperature of ZnS films on the structure and luminescence properties of ZnS/PS composite systems |
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| WANG Cai-feng,LI Qing-shan,ZHENG Meng-meng. Effect of growth temperature of ZnS films on the structure and luminescence properties of ZnS/PS composite systems[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2008, 19(4): 490-492 |
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| Authors: | WANG Cai-feng LI Qing-shan ZHENG Meng-meng |
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| Affiliation: | WANG Cai-feng1,LI Qing-shan2,3,ZHENG Meng-meng2,4(1.Department of Physics , Electronic Science,Binzhou University,Binzhou 256603,China,2.College of Physics , Engineering,Qufu Normal University,Qufu 273165,3.Ludong University,Yantai 264025,4.Laser Research Institute,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photoluminescence(PL) white light pulsed laser deposition(PLD) ZnS porous silicon(PS) |
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