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不同掺锗浓度对多晶硅性能的影响
引用本文:苏杰,黄美玲,钟根香,黄新明.不同掺锗浓度对多晶硅性能的影响[J].材料导报,2014,28(24):5-8.
作者姓名:苏杰  黄美玲  钟根香  黄新明
作者单位:1. 南京工业大学材料学院,南京,210009
2. 东海晶澳太阳能科技有限公司,连云港,222300
3. 东海晶澳太阳能科技有限公司,连云港222300;西安交通大学能源与动力学院,西安710049
4. 南京工业大学材料学院,南京210009;东海晶澳太阳能科技有限公司,连云港222300
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),江苏省普通高校研究生科研创新计划
摘    要:研究不同的掺锗浓度对硼掺杂P型多晶硅铸锭性能的影响。实验结果表明:掺锗能够影响多晶硅铸锭中的位错密度、间隙氧浓度和硅片的机械强度。当掺锗浓度低于5×1019 at·cm-3时,位错密度和间隙氧浓度随着掺锗浓度的增加而降低,机械强度则随着掺锗浓度的增加而增强。当铸锭中掺锗浓度为5×1019 at·cm-3时,与不掺锗的硅片相比,掺锗硅片中位错密度平均降低约3%,间隙氧浓度平均降低约6%,机械强度平均提高约20%。但是,当掺锗浓度高于1×1020 at·cm-3时,掺锗对多晶硅铸锭性能的改善效果变差了,并对其性能产生不利的影响。

关 键 词:多晶硅    位错    机械强度

Influence of Different Germanium Doping Concentration on the Performance of the Multi-crystalline Silicon
SU Jie,HUANG Meiling,ZHONG Genxiang,HUANG Xinming.Influence of Different Germanium Doping Concentration on the Performance of the Multi-crystalline Silicon[J].Materials Review,2014,28(24):5-8.
Authors:SU Jie  HUANG Meiling  ZHONG Genxiang  HUANG Xinming
Affiliation:SU Jie;HUANG Meiling;ZHONG Genxiang;HUANG Xinming;School of Materials Science and Engineering,Nanjing Tech University;Donghai JA Solar Technology Co.,Ltd.;School of Energy and Power Engineering,Xi’an Jiaotong University;
Abstract:
Keywords:multi-crystalline silicon  germanium  dislocation  oxygen  mechanical strength
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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