| 采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件 |
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| 引用本文： | 肖冬萍,刘键,魏珂,和致经,王润梅,刘新宇,吴德馨. 采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件[J]. 半导体学报, 2004, 25(4): 458-461 |
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| 作者姓名： | 肖冬萍 刘键 魏珂 和致经 王润梅 刘新宇 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,化合物半导体器件及电路实验室,北京,100029;中国科学院微电子中心,化合物半导体器件及电路实验室,北京,100029;中国科学院微电子中心,化合物半导体器件及电路实验室,北京,100029;中国科学院微电子中心,化合物半导体器件及电路实验室,北京,100029;中国科学院微电子中心,化合物半导体器件及电路实验室,北京,100029;中国科学院微电子中心,化合物半导体器件及电路实验室,北京,100029;中国科学院微电子中心,化合物半导体器件及电路实验室,北京,100029 |
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| 摘 要： | 对Al Ga N/Ga N HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性.器件的阈值电压在- 3V左右时,源漏间电流为几十n A.肖特基势垒的反向漏电流在- 1 0 V下约为几百n A.与采用干法刻蚀技术进行隔离的器件相比,采用离子注入技术不但可以获得全平面化的HEMTs器件而且还有效地抑制了场区漏电.研究还表明氦离子注入的温度稳定性大于70 0℃.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 离子注入 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)04-0458-04 |
| 修稿时间： | 2003-03-25 |
Ion Implant Isolation Technology for AlGaN/GaN HEMTs |
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| Xiao Dongping,Liu Jian,Wei Ke,He Zhijing,Wang Runmei,Liu Xinyu and Wu Dexin. Ion Implant Isolation Technology for AlGaN/GaN HEMTs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(4): 458-461 |
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| Authors: | Xiao Dongping Liu Jian Wei Ke He Zhijing Wang Runmei Liu Xinyu Wu Dexin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMTs ion implantation |
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