| AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系 |
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| 引用本文： | 李诚瞻,刘键,刘新宇,薛丽君,陈晓娟,和致经. AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系[J]. 半导体学报, 2006, 27(6): 1055-1058 |
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| 作者姓名： | 李诚瞻 刘键 刘新宇 薛丽君 陈晓娟 和致经 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家研究发展基金 , 中国科学院基金 |
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| 摘 要： | 比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaN HEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/GaN能带结构表明,AlN插入层能显著提高AlGaN导带底能级,增加异质结的带隙差.带隙差的增加有利于减小电子遂穿几率,加强沟道二维电子气的量子限制,从而抑制电流崩塌效应.
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| 关 键 词： | AlN插入层 HEMTs 电流崩塌效应 热电子 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)06-1055-04 |
| 修稿时间： | 2005-09-26 |
Correlations Between an AlN Insert Layer and Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs |
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| Li Chengzhan,Liu Jian,Liu Xinyu,Xue Lijun,Chen Xiaojuan and He Zhijing. Correlations Between an AlN Insert Layer and Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(6): 1055-1058 |
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| Authors: | Li Chengzhan Liu Jian Liu Xinyu Xue Lijun Chen Xiaojuan He Zhijing |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN insert layer HEMTs current collapse effect hot electron |
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