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| 反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究 | |
| 作者姓名： | 张兴 石涌泉 等 |
| 作者单位： | 陕西微电子学研究所，陕西微电子学研究所，陕西微电子学研究所 临潼 710600，临潼 710600，临潼 710600 |
| 摘 要： | 本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应，在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺，已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。 |
| 关 键 词： | SOI 器件 边缘寄生效应 刻蚀工艺 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |