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| GaAs/Si外延层的TEM研究 | |
| 引用本文： | 邹进,都安彦,冯国光,丁爱菊,侯宏启,黄琦,周均铭.GaAs/Si外延层的TEM研究[J].电子显微学报,1988(3). |
| 作者姓名： | 邹进 都安彦 冯国光 丁爱菊 侯宏启 黄琦 周均铭 |
| 作者单位： | 中国科学院北京电子显微镜实验室，中国科学院北京电子显微镜实验室，中国科学院北京电子显微镜实验室，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 外延生长半导体材料中的微缺陷对其性能及应用有着关键性的影响,为此微观缺陷的研究的必要性就显得更突出了。而透射电子显微学恰是进行微缺陷研究的重要手段。本工作就Si衬底上外延生长Ga As开展研究。实验样品有两类:(1)在Si衬底上直接生长Ga As;(2)在Si衬底上先生长一定量的Ga AsIn Ga As超晶格作为缓冲层,而后再生长Ga As。实验结果表明两类样品中的Si衬底晶体完整度很好,外延层中存在着大量的晶体缺陷,但缺陷性质不完全类同。对于第(1)类样品缺陷以位错为主,同时有一些微孪 |
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