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| 薄栅氮化工艺技术研究 | |
| 引用本文： | 薛东风,刘存生,李齐. 薄栅氮化工艺技术研究[J]. 微电子学与计算机, 2003, 20(Z1): 71-73 |
| 作者姓名： | 薛东风 刘存生 李齐 |
| 作者单位： | 西安微电子研究所,西安,710054 |
| 摘 要： | 介绍一种薄栅氮化的工艺方法,可用于0.8-1.0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中. |
| 关 键 词： | 栅氧化 氮化 抗辐射 |
| 修稿时间： | 2003-02-06 |
The Study on Thin-gate Oxides and Nitridation Process |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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