GaAs腐蚀中的最缓过程

一、前言在半导体工业中,腐蚀技术除作为半导体表面清洁处理外,也作为无损伤加工的手段而得到广泛应用。在这种情况下,为改善器件制备的成品率,有必要精确控制腐蚀量。在 GaAs超高频二极管制备工艺中包含着大量的腐蚀。用于 GaAs 镜面抛光的主要腐蚀液,可举出H_2SO_4+H_2O_2系、CH_3OH+Br_2系、NaCIO、NaOH+H_2O_2系、HNO_3+HF 系等。共中 NaOH+H_2O_2系溶解反应是最援过程,其余按照腐触液的成分,有时反应最缓,有时溶液中溶质的扩散是最缓过程。