2500V压接式IGBT芯片的仿真与验证

基于现有工艺平台设计一款具有自主知识产权的2 500 V/50 A非穿通型(NPT)压接式IGBT芯片。芯片有源区元胞采用平面型结构,结合器件仿真结果采用抗动态雪崩及抗闩锁设计,同时采用载流子增强技术来降低器件的饱和压降。芯片终端区采用场环加多级场板的复合结构,结合横向的场终止技术,实现高效率的终端结构设计。将此设计进行流片验证,测试结果显示击穿电压3 500 V以上,饱和压降2.65 V,阈值电压6.5 V,符合仿真预期和芯片设计要求。