|
|||||
|
|
| Si基IV族光电器件的研究进展(一)—激光器 | |
| 引用本文： | 刘智,张旭,何超,黄文奇,薛春来,成步文.Si基IV族光电器件的研究进展(一)—激光器[J].激光与光电子学进展,2014,51(11):110001. |
| 作者姓名： | 刘智 张旭 何超 黄文奇 薛春来 成步文 |
| 作者单位： | 刘智:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 张旭:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 何超:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 黄文奇:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 薛春来:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 成步文:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 |
| 基金项目： | 国家973 计划(2013CB632103)、国家自然科学基金(61036003, 61176013，61177038) |
| 摘 要： | Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,是解决Si基集成电路发展瓶颈的一个重要途径。在Si基光互连的关键器件中,除了Si基高效光源以外,其他的器件都已经实现。同为IV族元素的Ge具有独特的准直接带隙的能带结构,有望通过能带工程等手段实现高效发光。近年来,Si基IV族发光材料和发光器件有了许多重要进展。回顾了Si基IV族发光材料和发光器件的最新成果,如Si衬底上张应变的Ge、Ge发光二极管及激光器、GeSn发光器件,并对结果进行了讨论。最后展望了Si基IV族激光器的发展趋势。 |
| 关 键 词： | 材料 发光二极管 激光器 张应变 发光 Ge GeSn |
| 收稿时间： | 2014/4/1 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |