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| SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成 | |
| 引用本文： | 崔荣,杨晓红,吕倩倩,尹冬冬,尹伟红,李彬,韩勤. SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成[J]. 激光与光电子学进展, 2014, 51(11): 110003 |
| 作者姓名： | 崔荣 杨晓红 吕倩倩 尹冬冬 尹伟红 李彬 韩勤 |
| 作者单位： | 崔荣:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 杨晓红:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 吕倩倩:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 尹冬冬:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 尹伟红:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 李彬:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 韩勤:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083 |
| 基金项目： | 国家973 计划（2012CB933503）、国家863 计划（2012AA012202，2013AA013401）、国家自然科学基金（61274069，61176053） |
| 摘 要： | 成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III~V族半导体材料。综述了近期III~V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。 |
| 关 键 词： | 探测器 InGaAs/InP光电探测器 SOI(silicon-on-insulator)波导 键合技术 倏逝波耦合 |
| 收稿时间： | 2014-04-01 |
InGaAs/InP Photodetector on SOI Circuitry |
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| Abstract: | |
| Keywords: | detectors InGaAs/InP photodetector SOI (silicon-on-insulator) waveguide bonding techniques evanescent coupling |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |