| a-Si∶H/Al/a-Si∶H三层复合膜的低温晶化研究 |
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| 引用本文： | 王瑞春,杜丕一,沈鸽,翁文剑,韩高荣,赵高凌,张溪文. a-Si∶H/Al/a-Si∶H三层复合膜的低温晶化研究[J]. 真空科学与技术学报, 2002, 22(3): 234-238 |
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| 作者姓名： | 王瑞春 杜丕一 沈鸽 翁文剑 韩高荣 赵高凌 张溪文 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (697760 0 4,69890 2 3 0 )，教育部重点基础研究基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al逐步向表面扩散 ,在金属Al锈导下a Si∶H层出现晶化的温度不高于 2 5 0℃。在Al层厚度低于 2 2nm时 ,a Si∶H向晶态硅转变的量随着Al层厚度的增加而增加 ,而当Al层厚度大于 2 2nm后 ,a Si∶H向晶态硅转变的量与Al层厚度无关
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| 关 键 词： | 复合薄膜 Al诱导 a-Si∶H 低温晶化 |
| 文章编号： | 0253-9748(2002)03-0234-05 |
| 修稿时间： | 2001-10-29 |
Study of Crystallization of a-Si∶H/Al/a-Si∶H Sandwich Films at Low Annealing Temperature |
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| Wang Ruichun,Du Piyi,Shen Ge,Weng Wenjian,Han Gaorong,Zhao Gaoling,Zhang Xiwen. Study of Crystallization of a-Si∶H/Al/a-Si∶H Sandwich Films at Low Annealing Temperature[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2002, 22(3): 234-238 |
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| Authors: | Wang Ruichun Du Piyi Shen Ge Weng Wenjian Han Gaorong Zhao Gaoling Zhang Xiwen |
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