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光刻、OPC与DFM
引用本文:翁寿松. 光刻、OPC与DFM[J]. 电子工业专用设备, 2006, 35(4): 18-22
作者姓名:翁寿松
作者单位:无锡市罗特电子有限公司,江苏,无锡,214001
摘    要:讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。

关 键 词:芯片设计  光刻  光学邻近效应校正  可制造性设计  分辨率增强技术
文章编号:1004-4507(2006)04-0018-05
收稿时间:2006-01-10
修稿时间:2006-01-10

Lithography, OPC and DFM
WENG Shou-song. Lithography, OPC and DFM[J]. Equipment for Electronic Products Marufacturing, 2006, 35(4): 18-22
Authors:WENG Shou-song
Affiliation:Wuxi Luo Te Electronics Co,. Ltd, Wuxi 214001, China
Abstract:In this paper, necessity and benefit to adopted design for manufacturing in 90/65 nm chip design are discussed. Design for manufacturing by the core for resolution enhancement technology/optical proximity effect correction is introduced.
Keywords:Chip design  Lithography  Optical proximity effect correction(OPC)  Design for manufacturing (DFM)  Resolution euhancement thchmology(RET)  
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