首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

等离子刻蚀a-Si:H/a-C:H超晶格
引用本文:王玉玲,张青.等离子刻蚀a-Si:H/a-C:H超晶格[J].半导体学报,1988,9(3):325-327.
作者姓名:王玉玲  张青
作者单位:中国科学院微电子中心 北京 (王玉玲),中国科学院半导体研究所 北京(张青)
摘    要:本文介绍了 C_yF_(14)+ O_2等离子刻蚀 a=Si:H/a-C:H 超晶格的工艺原理及方法,简便可行.

关 键 词:a-Si:H/a-C:H  超晶格  等离子刻蚀

Plasma Etching a-Si:H/a-C: H Superlattice
Wang Yuling/Microelectronics Center,Chinese Academy of Sciences. BeijnigZhang Qing/Semiconductor Institute,Chinese Academy of Sciences,Beijing.Plasma Etching a-Si:H/a-C: H Superlattice[J].Chinese Journal of Semiconductors,1988,9(3):325-327.
Authors:Wang Yuling/Microelectronics Center  Chinese Academy of Sciences BeijnigZhang Qing/Semiconductor Institute  Chinese Academy of Sciences  Beijing
Abstract:A method of plasma etching a-Si:H/a-C:H superlatice using C_7F_(14)_O_2 is reported. It issimple and feasible.
Keywords:a-Si:H/a-C:H  Superlattice  Plasma etching
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号