用于高性能存储系统的快速双极1024位随机存储器(RAM)

现代的数据处理系统的结构和性能受到组装密度和它的存储器的速度的极大影响,目前能做到的速度最快的存储器是采用集成双极工艺的半导体器件来实现的。双极随机存储器(RAM)除了它在快速主存方面的常规运用之外,还在超高速缓冲存储器和可写控制存储器方面得到了重要的新应用。高速的双极超高速缓冲存储器的存在已经使得建立存储器体系成为可能,在这个存储器体系内的大部份存储器是由速度比较慢的低成本存储器件来制成的。在控制存储器中采用高速大容量读/写存储器则大大扩展了它的存储容量,因而也具有有效价格的竞争能力。另外在将高速存储器与微处理机连用或用作联想存储器解决特殊用途方面,高速双极存储器也对计算机结构起到了促进作用。本文所述的1024位的ECL RAM 是作为西门子(Siemens)7·760计算机的超高速缓存和可写控制存储器用的。它是为西门子7·740,7·750和7·755计算机设计的GXB 10147型西门子128位ECL RAM 的继续。新的工艺和电路设计思想为典型的地址取数时间在15ns,功耗只有400 mW 的1024位RAM 研制铺平了道路。