| 栅对准误差对双栅MO SFET 性能影响的分析 |
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| 引用本文： | 钱 莉,李伟华. 栅对准误差对双栅MO SFET 性能影响的分析[J]. 电子器件, 2002, 25(4): 402-405 |
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| 作者姓名： | 钱 莉 李伟华 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心,南京,210096 |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 对栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件，它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点，但是目前自对准的双栅MOSFET的工艺制作相当困难。本文中分析了双栅MOSFET的正、背面栅存在对准误差时，对器件的表态及动态特性的影响，并提出了一种改善这种影响的方法。
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| 关 键 词： | 栅对准误差 双栅MOS场效应晶体管 栅不对准 静态特性 动态特性 |
| 文章编号： | 1005-9490(2002)04-0402-04 |
| 修稿时间： | 2002-06-06 |
Effect of GateM isal ignmen t on Double-GateMOSFETs |
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| Q IA N L i,L I W eihua. Effect of GateM isal ignmen t on Double-GateMOSFETs[J]. Journal of Electron Devices, 2002, 25(4): 402-405 |
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| Authors: | Q IA N L i L I W eihua |
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| Affiliation: | S ou theast U niv ersity |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | double gate MOSFET gate misalignment |
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