| 利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究 |
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| 引用本文： | 张可锋 吴小利 唐恒敬 乔辉 贾嘉 李雪 龚海梅. 利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究[J]. 激光与红外, 2007, 37(B09): 947-950 |
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| 作者姓名： | 张可锋 吴小利 唐恒敬 乔辉 贾嘉 李雪 龚海梅 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院研究生院,北京100039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目（No.50632060）. |
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| 摘 要： | 室温铟镓砷（InGaAs）焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛，铟镓砷（InGaAs）焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小，这使得常规工艺形成的光伏探测器，其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。本文利用激光诱导电流检测（LBIC）系统测试了平面结InGaAs（P—I-N）探测器芯片的光敏元，证实了有效光敏面扩大的存在。从实验结果看，掺杂离子的横向扩散和结区的侧向收集效应，是平面工艺形成的光伏器件光敏元面积扩大的主要因素，并利用得到的实验数据拟合求出了器件少子的扩散长度。
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| 关 键 词： | LBIC技术 InGaAs 探测器 光敏感区 |
| 文章编号： | 1001-5078（2007）增刊-0947-04 |
| 修稿时间： | 2007-06-21 |
Study on Photoactive Area of Planar InGaAs Linear Detector by LBIC Technique |
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| ZHANG Ke-feng,WU Xiao-li, TANG Heng-jing , QIAO Hui, JIA Jia,LI Xue , GONG Hai-mei. Study on Photoactive Area of Planar InGaAs Linear Detector by LBIC Technique[J]. Laser & Infrared, 2007, 37(B09): 947-950 |
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| Authors: | ZHANG Ke-feng WU Xiao-li TANG Heng-jing QIAO Hui JIA Jia LI Xue GONG Hai-mei |
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| Affiliation: | 1. State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China ;2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LBIC technique InGaAs detector photoactive area |
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