基于GaN的功率技术引发电子转换革命

面对即将发生的技术变革,国际整流器公司（简称IR）研发人员研制出具有创新意义的基于氮化镓（GaN）的功率器件技术平台。该技术保证其性能指数（FOM）可以比现在最先进的硅MOSFET优越10倍以上。这些已商业化的基于GaN的功率器件将带来崭新的解决方案,使市场出现能够提供高密度、高效率且符合成本效益的革命性功率转换技术。