| 夜视系统用GaAs/GaAlAs半导体激光器 |
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| 引用本文： | 宋晓伟,李梅,李军,任大翠. 夜视系统用GaAs/GaAlAs半导体激光器[J]. 半导体光电, 1999, 20(5): 363-365 |
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| 作者姓名： | 宋晓伟 李梅 李军 任大翠 |
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| 作者单位： | 长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 |
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| 摘 要： | 利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ 夜视系统用光源。样品质量达到了设计要求。测量结果表明，样品在１０ Ｋ 下的光荧光谱的峰值波长为９２６ ．２６ ｎｍ 。利用该材料制作的激光二极管，其峰值输出功率达到１５ Ｗ。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 液相外延 夜视系统 |
| 修稿时间： | 1999-05-26 |
GaAs/GaAlAs semiconductor lasers for night vision systems |
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| SONG Xiao-wei,LI Mei,LI Jun,REN Da-cui. GaAs/GaAlAs semiconductor lasers for night vision systems[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1999, 20(5): 363-365 |
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| Authors: | SONG Xiao-wei LI Mei LI Jun REN Da-cui |
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| Abstract: | GaAlAs/GaAs used for light source of night vision systems has been grown by modified LPE technology. The experimental results show that sample's quality meets the requirement of design and photoluminescence peak wavelength is 926.26 nm at 10 K . The peak output power of laser diodes using this material is up to 15 W. |
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| Keywords: | semiconductor lasers LPE night vision system |
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