| GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化 |
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| 引用本文： | 符凯,张禹,陈敦军,韩平,谢自力,张荣.GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化[J].稀有金属,2008,32(1):28-33. |
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| 作者姓名： | 符凯 张禹 陈敦军 韩平 谢自力 张荣 |
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| 作者单位： | 南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金
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教育部科学技术研究项目
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教育部高等学校博士学科点专项科研基金
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江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposotion)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOcvD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟.结果表明,在950～1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,反应气体未能充分地分解,导致较低的生长速率;而温度高于1350 K则Ga组分的脱附现象开始变得严重,从而抑制GaN的生长速率.另一方面,较高的v/Ⅲ也会抑制GaN的生长速率.生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示,GsN薄膜在高温下(1073～1473 K)为2D层状生长,在1373 K的温度下生长的GaN薄膜表面最为平整.
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| 关 键 词： | 氮化镓 计算流体力学 蒙特卡洛 计算机模拟 MOCVD 生长速率 表面形貌 生长参数 变化 Parameter Growth Function Surface Morphology 薄膜表面 层状生长 高温 显示 形貌演变 时间 严重 现象 脱附 组分 温度高 |
| 文章编号： | 0258-7076（2008）01-0028-06 |
| 收稿时间： | 2006-12-25 |
| 修稿时间： | 2007-06-18 |
Growth Rate and Surface Morphology as A Function of Growth Parameter for GaN MOCVD |
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| Fu Kai,Zhang Yu,Chen Dunjun,Han Ping,Xie Zili,Zhang Rong.Growth Rate and Surface Morphology as A Function of Growth Parameter for GaN MOCVD[J].Chinese Journal of Rare Metals,2008,32(1):28-33. |
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| Authors: | Fu Kai Zhang Yu Chen Dunjun Han Ping Xie Zili Zhang Rong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN CFD Monte Carlo computational study |
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