溅射法制作CrSi薄膜电阻工艺技术

薄膜混合集成电路中，高方阻、高稳定、低TCR、高命中率的薄膜电阻网络制备是一大难题。本文介绍使用直流磁控反应溅射工艺攻克该难题的方法，即通过对影响电阻结构的多种工艺要素（反应气体成分、比例，磁场强度，热处理温度等）的实验归纳，寻找出制作高方阻CrSi电阻的最佳工艺条件。