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Limitations of the MOS Resistive Circuit in MOSFET-C Implementation: Bandwidth, Noise, Offset and Non-Linearity
Authors:Juan I Osa  Alfonso Carlosena
Affiliation:(1) Dpto: Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Pública de Navarra., Campus Arrosadía s/n, 31006 Pamplona, Spain
Abstract:
Keywords:RC-active circuits  MOSFET-C circuits  MOS resistive circuit  double MOSFET  four-transistor transconductor
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