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| 背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响 | |
| 引用本文： | 刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰.背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响[J].半导体学报,1999,20(12):1093-1097. |
| 作者姓名： | 刘汝萍 赵建龙 夏冠群 吴剑萍 顾成余 詹琰 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所!上海200050 |
| 摘 要： | 研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差． |
| 关 键 词： | MESFET 砷化镓 背栅效应 均匀性 |
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