| SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷性能的影响研究 |
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| 引用本文： | 高鹏,贾成厂,曹文斌,崔照雯,常宇宏,刘建金,王聪聪. SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷性能的影响研究[J]. 粉末冶金技术, 2014, 32(4) |
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| 作者姓名： | 高鹏 贾成厂 曹文斌 崔照雯 常宇宏 刘建金 王聪聪 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
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| 摘 要： | 以氮化铝和纳米碳化硅为原料,无烧结助剂,1 600 ℃下保温5 min,放电等离子烧结(以下简称SPS),制备了AlN-SiC复合陶瓷.利用扫描电镜,能谱分析仪,XRD,安捷伦4284A LRC阻抗分析仪等对其致密度,显微结构,表面成分,生成的主要物相,介电损耗和介电性能进行分析.结果表明,AlN-SiC复合陶瓷的致密度在91％以上,物相主要有作为原料的AlN和β-SiC,以及烧结之后生成的2H-SiC和Fe5 Si3;随着SiC含量的增加,材料的介电损耗,介电常数相应增加;SiC含量在30％～40％(质量分数,下同)之间,1 MHz以下的损耗角正切tanδ≥0.3,表明纳米SiC具有较强的吸波性能.相同含量的碳化硅,材料的介电常数和介电损耗随着频率的增加而降低.
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| 关 键 词： | AlN-SiC复合陶瓷,氮化铝 纳米碳化硅 SPS 介电损耗 |
Effects of SiC content on the dielectric properties of AlN-SiC composite ceramics |
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| Gao Peng,Jia Chengchang,Cao Wenbin,Cui Zhaowen,Chang Yuhong,Liu Jianjin,Wang Congcong. Effects of SiC content on the dielectric properties of AlN-SiC composite ceramics[J]. Powder Metallurgy Technology, 2014, 32(4) |
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| Authors: | Gao Peng Jia Chengchang Cao Wenbin Cui Zhaowen Chang Yuhong Liu Jianjin Wang Congcong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN-SiC composites aluminum nitride nano silicon carbide SPS dielectric loss |
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