| IDT7164在^40Ar束流中的单粒子效应 |
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| 引用本文： | 王丽君 候明东. IDT7164在^40Ar束流中的单粒子效应[J]. 原子能科学技术, 1997, 31(3): 264-266 |
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| 作者姓名： | 王丽君 候明东 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院空间科学与应用研究中心 [2]中国科学近代物理研究所 |
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| 摘 要： | 在氩束流中，测试了ＩＤＴ７１６４芯片的单粒子事件翻转效应，记录了不同程序运行中的实验结果，由此计算了芯片的截面。
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| 关 键 词： | 加速器 单粒子事件 芯片 截面 集成电路 航天器 |
MEASUREMENT OF IDT7164 SINGLE EVENT UPSET(SEU) IN ARGON BEAMS OF 25 MeV/u |
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| Wang Lijun Sun Huixian Chen Xiaomin Wang Daxing. MEASUREMENT OF IDT7164 SINGLE EVENT UPSET(SEU) IN ARGON BEAMS OF 25 MeV/u[J]. Atomic Energy Science and Technology, 1997, 31(3): 264-266 |
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| Authors: | Wang Lijun Sun Huixian Chen Xiaomin Wang Daxing |
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| Abstract: | The measurement of IDT7164 SEU in Argon beams of 25 MeV/u was made.The result of experiment in different programs are recorded.The cross section of the chip is calculated. |
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| Keywords: | Cyclotron Single event upset IDT7164 Cross section |
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