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基于充电抑制膜的航天器不等量电位控制方法
引用本文:王思展,王志浩,刘宇明,王晶虎,冯娜,程千钉,韩炎晖.基于充电抑制膜的航天器不等量电位控制方法[J].安全与电磁兼容,2024(1):31-37.
作者姓名:王思展  王志浩  刘宇明  王晶虎  冯娜  程千钉  韩炎晖
作者单位:1. 北京卫星环境工程研究所;2. 北京东方计量测试研究所
基金项目:国家装备预先研究课题(3050804XXXX);
摘    要:航天器在空间环境中飞行时,其表面的不同介质材料表面与等离子体环境相互作用后形成的不等量充电电位达到放电阈值(107 V/m)后,将有可能发生静电放电(ESD)。充电抑制膜是一种基于不等量电位梯度场发射原理的防护材料,当其上下表面电位差达到发射阈值后,充电抑制膜将发射电子从而对航天器结构不等量电位起到减缓作用。文章介绍了真空条件下充电抑制膜场电流发射特性,分析了充电抑制膜场电子发射对航天器表面不等量电位的控制效果,为航天器表面电位控制及减缓提供方法和依据。

关 键 词:主动电位控制  航天器表面充电  静电放电  不等量带电
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